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收购单晶炉南通通州涡旋高真空泵每台价格该气流导向装置为碗形，其包括 设于气流导向装置底部的中轴孔，设于所述中轴孔两侧的 一对电极孔， 以及设于所述中轴孔两侧并与该炉的排气口相对的通气孔，该炉的石墨中 轴穿过所述气流导向装置的中轴孔，该炉的 一对电极柱分别穿过所述电极 孔，该炉的排气口与气流导向装置的各通气孔相连通，气流导向装置的上 端部设于该炉的保温筒与发热体之间。所述气流导向装置的中轴孔与该炉的石墨中轴活动密封连接。炉室结构为顶升式，主炉室和副炉室启时由液压传动装置实现上移。以石墨电阻加热器，将硅半导体材料熔化，用直拉法生长无错位单晶的设备。它可以生产大规模太阳能电池，集成电路所需要的高品质硅单晶。是根据用户实际需求研发的新产品。是在流动惰性气体环境中TD-800型软轴提拉型单晶炉单晶炉主机系统包括：底座立柱炉室和副炉室之间，设有浮动式翻板阀室，可在现场维持工艺温度的情况下，取出晶体，更换籽晶和补充加料进行连续拉晶。新型翻板阀结构，拱形封头式炉盖结构，考虑热变形采用浮动提升结构，防止卡死现象。单晶提拉采用可承受150Kg不锈钢丝软轴，电控系统采用微机控制，红外测径技术，进口电动及驱动器。晶升和埚升速度，炉内压力，冷却部位温度等数据都采用数字显示仪表指示，两笔记录仪记录温度和籽晶拉速，能稳定的控制生长直径5～8英寸，直径均匀的无错位单晶。

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技术领域：本发明涉及一种直拉式单晶生长炉。背景技术：图1为切克劳斯基(直拉)法硅单晶的单晶炉剖面示意图，图1-2 中，l为炉筒，2为保温盖，3为保温盖，4为保温材津牛，5为保温罩，6为 加热器，7为水套，8为石英埚，9为导流筒，IO为护盘，12为氩气输 入管，11为分布有孔11-1的环形气体分布器，13为排气口。名称：直拉式单晶生长炉的方法直拉式单晶生长炉的方法直拉硅单晶在生长过程中需要向炉内不断充入氩气尤其是坩埚 支持器下方的空间较大，导致坩埚支持器下方的混合气体不能及时排出， 热能消耗量较大，另外，现有技术中，从氩气输入管向炉内充入氩气时， 充气气压为1. 3x 103pa，氩气流量为40L/min，因此其氩气消耗量大，生产 成本较高。则可以肯定是电源的控制电路出了故障。若有部分电压输出说明前级电路工作正常，故障出在高频整流滤波电路中。高频滤波电路主要由整流二极管及低压滤波电容组成直流电压输出，其中整流二极管击穿会使该电路无电压输出，滤波电容漏电会造成输出电压不稳等故障。用万用表静态测量对应元件即可检查出其损坏的元件。